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罗鑫教授课题组的研究内容围绕着二维材料的应力、号乎上回答铁电、号乎上回答铁磁等多场耦合物理、声子物理以及二维材料在催化等方向的应用展开了深入研究，首次在单层的二维MoTe2上发现面外的室温铁电极化，打破了铁电薄膜临界尺度的厚度纪录。【图文导读】图1 TaS2晶体中的自嵌入a,b）分别显示了MBE在低Ta-flux和高Ta-flux环境下，问题原始TaS2（a）和自插层Ta7S12（b）的生长示意图。
罗鑫教授，人嫌中山大学物理学院教授，人嫌2011年于中山大学获博士学位，2011年至2013年在新加坡高性能计算研究院担任scientist,2013年至2017年在新加坡国立大学先进二维材料研究中心任研究员，2017年至2018年在香港理工大学担任独立PI助理教授（研究），随后就职于中山大学任正教授。【引言】对2D材料的研究不断增加，快手快手预示着一种新的凝聚态物理学分支的诞生，该物理学分支关注的是在原子级薄结构中电子的描述。过渡金属硫族化合物（TMDs）中的vdW间隙可以包含八面体和四面体的空位，号乎上回答也可以包含三角棱柱体的空位，号乎上回答这些空位为各种各样的插层物提供了对接位点。
问题g）描绘ic-2D晶体逐层生长的示意图。文献链接：人嫌Engineeringcovalentlybonded2Dlayeredmaterialsbyself-intercalation（Nature，人嫌2020，DOI:10.1038/s41586-020-2241-9）【团队介绍】罗健平(LohKianPing)教授，新加坡国立大学化学系教授(ProvostsChairProfessor)，1996年于牛津大学获得博士学位，1996年至1998年在日本国家材料科学研究所从事博士后研究，随后就职于新加坡国立大学，为终身正教授。
通过在高金属化学势下进行生长，快手快手可以得到一系列钽嵌入的TaS(Se)y自插层化合物，快手快手包括25％Ta嵌入的Ta9S16、33.3％Ta嵌入的Ta7S12，50％Ta嵌入的Ta10S16，66.7％Ta嵌入的Ta8Se12（形成Kagome晶格）和100％Ta嵌入的Ta9Se12。
然而，号乎上回答到目前为止，利用高金属化学势的TMDs的生长窗口还未被深入挖掘探索。在储能（如电池、问题电容）和环境（如吸附金属离子污染）领域，这类策略一般能够凑效。
当排除了各种因素的干扰以后，人嫌作者们发现，人嫌相比于在重堆叠过程中形成较为疏松（层间距约1nm）结构的MoS2，重堆叠为最紧密（层间距0.62nm）结构的MoS2意外地显示出较高的HER活性。快手快手图四对不同MoS2多层结构的HER性能的DFT计算。
重堆叠的MoS2可利用离子液体调控层间距，号乎上回答离子液体在完成后可完全除去。这类研究最大的挑战在于MoS2电催化体系的复杂性，问题即其活性取决于化学组成、1T/2H相比例、电导率、传质等因素的共同作用。